差别
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whatistransistor [2023/05/24 10:58] meiling |
whatistransistor [2023/05/24 11:00] (当前版本) meiling |
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| 行 393: | 行 393: | ||
| 晶体管的基极∙发射极之间的电阻与内置输入电阻的比率。 | 晶体管的基极∙发射极之间的电阻与内置输入电阻的比率。 | ||
| - | ## MOSFET特性 | + | ## 五、MOSFET特性 |
| ### 关于MOSFET的寄生容量和温度特性 | ### 关于MOSFET的寄生容量和温度特性 | ||
| #### MOSFET的静电容量 | #### MOSFET的静电容量 | ||
| 行 453: | 行 453: | ||
| {{ ::all_what5_tr_8_.png |}} | {{ ::all_what5_tr_8_.png |}} | ||
| - | ## 导通电阻 | + | ## 六、导通电阻 |
| ### 何谓导通电阻？ | ### 何谓导通电阻？ | ||
| 行 494: | 行 494: | ||
| - | ## 总栅极电荷（Qg） | + | ## 七、总栅极电荷（Qg） |
| ### 何谓总栅极电荷（Qg）？ | ### 何谓总栅极电荷（Qg）？ | ||
| "总栅极电荷（Qg）是指为导通（驱动）MOSFET而注入到栅极电极的电荷量。 有时也称为栅极总电荷。" | "总栅极电荷（Qg）是指为导通（驱动）MOSFET而注入到栅极电极的电荷量。 有时也称为栅极总电荷。" | ||
| 行 515: | 行 515: | ||
| 此时，可从图表读取设定电压和总栅极电荷（Qg）（例如， VGS = 10 V 时为85nC ， VGS = 15V 时为 130nC ）。 | 此时，可从图表读取设定电压和总栅极电荷（Qg）（例如， VGS = 10 V 时为85nC ， VGS = 15V 时为 130nC ）。 | ||
| - | ## 安全使用晶体管的选定方法 | + | ## 八、安全使用晶体管的选定方法 |
| 使晶体管工作会产生电气负载和热负载。 | 使晶体管工作会产生电气负载和热负载。 | ||
| 对晶体管来讲，负载太大寿命会缩短，最坏的情况下会导致晶体管被破坏。 | 对晶体管来讲，负载太大寿命会缩短，最坏的情况下会导致晶体管被破坏。 | ||
| 行 706: | 行 706: | ||
| {{ ::trwhat6_02.png |}} | {{ ::trwhat6_02.png |}} | ||
| - | ## 元件温度计算方法 | + | ## 九、元件温度计算方法 |
| ### 结点温度的计算方法1：根据周围温度（基本） | ### 结点温度的计算方法1：根据周围温度（基本） | ||
| 结点温度（或通道温度）可根据周围温度和功耗计算。根据热电阻的思考方法， | 结点温度（或通道温度）可根据周围温度和功耗计算。根据热电阻的思考方法， | ||
| 行 807: | 行 807: | ||
| {{ ::tr_what7_cn_11_.png |}} | {{ ::tr_what7_cn_11_.png |}} | ||
| - | ## 负载开关 | + | ## 十、负载开关 |
| ### 关于负载开关ON时的浪涌电流 | ### 关于负载开关ON时的浪涌电流 | ||
| 负载开关Q1导通瞬间会暂时流过比稳态电流大得多的电流。输出侧的负载容量CL的电荷接近零时，向输出VO施加电压的瞬间会流过大充电电流。这种流过大电流的现象称作浪涌电流（Flash Current）。 | 负载开关Q1导通瞬间会暂时流过比稳态电流大得多的电流。输出侧的负载容量CL的电荷接近零时，向输出VO施加电压的瞬间会流过大充电电流。这种流过大电流的现象称作浪涌电流（Flash Current）。 | ||