导通电阻

MOSFET工作（启动）时，漏极和源极间的阻值称为导通电阻（RDS(ON)）。数值越小，工作时的损耗（功率损耗）越小。

晶体管的消耗功率用集电极饱和电压（VCE(sat)）乘以集电极电流（IC）表示。

（集电极损耗PC））＝（集电极饱和电压VCE(sat) ）x（集电极电流IC）

MOSFET的消耗功率是用漏极源极间导通电阻（RDS(ON)）计算。MOSFET消耗的功率PD用MOSFET自身具有的导通电阻乘以漏极电流（ID)的平方表示。

（功率PD）＝（导通电阻RDS(ON) ） x （漏极电流ID）2

此功率将变成热量散发出去。MOSFET的导通电阻一般在Ω极以下，与一般的晶体管相比，消耗功率小。即发热小，散热对策简单。

如左上图所示，栅极源极间电压越高，导通电阻越小。另外，栅极源极间电压相同的条件下，导通电阻因电流不同而不同。计算功率损耗时，需要考虑栅极源极间电压和漏极电流，选择适合的导通电阻。另外，如右上图所示，导通电阻因温度变化而变化，因此需要注意这一特性。

一般MOSFET的芯片尺寸（表面面积）越大，导通电阻越小。下图显示了不同尺寸的小型封装条件下，罗姆最小导通电阻值的比较。封装尺寸越大可搭载的芯片尺寸就越大，因此导通电阻越小。罗姆针对各种不同的封装尺寸，备有低导通电阻的产品。选择更大尺寸的封装，导通电阻会更小。

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何谓导通电阻？