导通电阻

MOSFET工作(启动)时,漏极和源极间的阻值称为导通电阻 (RDS(ON))。数值越小,工作时的损耗(功率损耗)越小。


关于导通电阻的电气特性

晶体管的消耗功率用集电极饱和电压 (VCE(sat)) 乘以集电极电流(IC)表示。

(集电极损耗PC))=(集电极饱和电压VCE(sat) )x(集电极电流IC)

MOSFET的消耗功率是用漏极源极间导通电阻 (RDS(ON)) 计算。MOSFET消耗的功率PD用MOSFET自身具有的导通电阻乘以漏极电流(ID)的平方表示。

(功率PD)=(导通电阻RDS(ON) ) x (漏极电流ID)2

此功率将变成热量散发出去。MOSFET的导通电阻一般在Ω极以下,与一般的晶体管相比,消耗功率小。即发热小,散热对策简单。

如左上图所示,栅极源极间电压越高,导通电阻越小。另外,栅极源极间电压相同的条件下,导通电阻因电流不同而不同。计算功率损耗时,需要考虑栅极源极间电压和漏极电流,选择适合的导通电阻。另外,如右上图所示,导通电阻因温度变化而变化,因此需要注意这一特性。


导通电阻比较

一般MOSFET的芯片尺寸(表面面积)越大,导通电阻越小。 下图显示了不同尺寸的小型封装条件下,罗姆最小导通电阻值的比较。 封装尺寸越大可搭载的芯片尺寸就越大,因此导通电阻越小。 罗姆针对各种不同的封装尺寸,备有低导通电阻的产品。 选择更大尺寸的封装,导通电阻会更小。

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