MOSFET的静电容量


功率MOSFET在构造上,如图1存在寄生容量。

功率MOSFET在构造上,如图1存在寄生容量 MOSFET的G (栅极) 端子和其他的电极间由氧化膜绝缘,DS (漏极、源极) 间形成PN接合,成为内置二极管构造。Cgs, Cgd容量根据氧化膜的静电容量、Cds根据内置二极管的接合容量决定。

一般而言MOSFET规格书上记载的是表1中的Ciss/Coss/Crss三类。

容量特性如图2所示,对DS (漏极、源极) 间电压VDS存在依赖性。VDS大则容量值小。

温度特性


实测例见图(1) ~ (3)所示

关于容量特性的温度依存性几乎没有差异。

关于MOSFET的开关时间


栅极电压ON/OFF之后,MOSFET才ON/OFF。这个延迟时间为开关时间。开关时间如表1所示种类,一般而言,规格书上记载td(on)/ tr/ td(off)/ tf。

ROHM根据图2电路的测定值决定规格书的typ.值。

温度特性


实测例如图3(1)~(4)所示。 温度上升的同时开关时间略微增加,但是100°C上升时增加10%成左右,几乎没有开关特性的温度依存性。

图3: 开关温度特性

ID-VGS特性和界限值温度特性的实测例如图1、2所示。 如图1,为了通过绝大部分电流,需要比较大的栅极电压。 表1所记载的机型,其规格书上的界限值为2.5V以下,但是为4V驱动产品。 使用时请输入使其充分开启的栅极电压。

如图2,界限值随温度而下降。 通过观察界限值电压变化,能够计算元件的通道温度。