MOSFET特性
关于MOSFET的寄生容量和温度特性
MOSFET的静电容量
功率MOSFET在构造上,如图1存在寄生容量。
功率MOSFET在构造上,如图1存在寄生容量 MOSFET的G (栅极) 端子和其他的电极间由氧化膜绝缘,DS (漏极、源极) 间形成PN接合,成为内置二极管构造。Cgs, Cgd容量根据氧化膜的静电容量、Cds根据内置二极管的接合容量决定。
一般而言MOSFET规格书上记载的是表1中的Ciss/Coss/Crss三类。
容量特性如图2所示,对DS (漏极、源极) 间电压VDS存在依赖性。VDS大则容量值小。
温度特性
关于MOSFET的开关及其温度特性
关于MOSFET的开关时间
栅极电压ON/OFF之后,MOSFET才ON/OFF。这个延迟时间为开关时间。开关时间如表1所示种类,一般而言,规格书上记载td(on)/ tr/ td(off)/ tf。