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--- 薄膜压电mems [2023/05/24 10:19]
meiling
+++ 薄膜压电mems [2023/05/24 10:28] (当前版本)
meiling
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-## 压电（Piezo）
+====== 薄膜压电MEMS ======
+https://www.rohm.com.cn/electronics-basics/piezo
+## 1、压电（Piezo）
 ### 何谓压电？
 压电表示压电元件（Piezoelectric　Element、Piezoelectric Device），压电元件是指通过施加力（压力）产生电压（压电效应），或与之相反，通过施加电压产生变形（逆压电效应）的元件。
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 罗姆的薄膜压电MEMS代工为实现融合自有薄膜压电和LSI微细加工技术的小型、节能、高性能产品，提供从试制、开发到量产的全程支持。
-## 压电相关术语
+## 2、压电相关术语
 **压电(Piezo)：**指压电元件（piezoelectric element、piezoelectric device）
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 **块体压电：**指压电材料的厚度为几十μm以上的压电元件
-## MEMS
+## 3、MEMS
 ### 何谓MEMS？
 MEMS是Micro Electro Mechanical Systems（微机电系统）的缩写，具有微小的立体结构（三维结构），是处理各种输入、输出信号的系统的统称。
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 === 晶圆 ===
-SOI晶圆
+**SOI晶圆**
 SOI是Silicon On Insulator的缩写，是指在氧化膜上形成了单晶硅层的硅晶圆。已广泛应用于功率元件和MEMS等，在MEMS中可以使用氧化膜层作为硅蚀刻的阻挡层，因此能够形成复杂的三维立体结构。
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-TAIKO磨削 　“TAIKO”是DISCO株式会社的商标
+**TAIKO磨削** 　“TAIKO”是DISCO株式会社的商标
 TAIKO磨削是DISCO公司开发的技术，在磨削晶圆时保留最外围的边缘，只对其内侧进行磨削。
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 TAIKO磨削与通常的磨削相比，具有“晶圆曲翘减少”、“晶圆强度更高”、“处理容易”、“与其他工艺的整合性更高”等优点。
-晶圆粘合/热剥离片工艺
+**晶圆粘合/热剥离片工艺**
 通过使用支撑晶圆和热剥离片，可以轻松对薄化晶圆进行处理等。
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-晶圆键合
+**晶圆键合**
 晶圆键合大致分为“直接键合”、“通过中间层键合”2类。
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+----
 === 蚀刻 ===
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-硅深度蚀刻
+**硅深度蚀刻**
 集各向异性蚀刻和各向同性蚀刻的优点于一身的博世工艺技术已经成为了硅深度蚀刻的主流技术。
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+----
 === 成膜 ===
-ALD（原子层沉积）
+**ALD（原子层沉积）**
+ALD是Atomic Layer Deposition（原子层沉积）的缩写，是通过重复进行材料供应（前体）和排气，利用与基板之间的表面反应，分步逐层沉积原子的成膜方式。
+通过采用这种方式，只要有成膜材料可以通过的缝隙，就能以纳米等级的膜厚控制，在小孔侧壁和深孔底部等部位成膜，在深度蚀刻时的聚合物沉积等MEMS加工中形成均匀的成膜。
+{{ ::piezowhat3_10.jpg |}}
+{{ ::piezowhat3_11.jpg |}}
+罗姆的薄膜压电MEMS代工运用自身拥有的先进薄膜压电技术和MEMS加工技术，以及得到了量产业绩印证的先进生产技术，为实现小型、节能、高性能产品，提供从试制、开发到量产的全程支持。
+## 4、MEMS相关术语
+关于MEMS相关术语的简要说明。
+**MEMS**:Micro Electro Mechanical Systems的缩写。具有微小的立体结构（三维结构），是处理各种输入、输出信号的元件、系统的统称。
+**各向同性蚀刻**:利用自由基沿深度方向、横向进行的蚀刻
+**各向异性蚀刻**:利用离子沿深度方向进行的蚀刻
+**博世工艺**:Si深度蚀刻的主要技术。组合了各向同性蚀刻与各向异性蚀刻的技术
+**扇贝形貌**:利用博世工艺形成的侧壁的凹凸形状
+**SOI晶圆**:Silicon On Insulator的缩写。在氧化膜上形成了单晶硅层的硅晶圆。
+**TAIKO磨削**:磨削晶圆时保留最外围的边缘，只对其内侧进行磨削的技术 ＊“TAIKO”是DISCO株式会社的商标
+**支撑晶圆**:为满足薄晶圆的处理和工艺的需要而用作支撑的晶圆
+**晶圆粘合**:为满足薄晶圆的处理和工艺的需要而粘合支撑用基板（支撑晶圆）
+**晶圆键合**:以封装等为目的进行的晶圆之间的键合
+**ALD（原子层沉积）**:分步逐层沉积原子的成膜方式。