差别

这里会显示出您选择的修订版和当前版本之间的差别。

--- 半导体存储器 [2023/05/23 10:46]
meiling
+++ 半导体存储器 [2023/05/24 13:23] (当前版本)
meiling
@@ 行 1: / 行 1: @@
-## 何谓半导体存储器？
+====== 何谓半导体存储器？ ======
+https://www.rohm.com.cn/electronics-basics/memory
+## 一、何谓半导体存储器？
 半导体存储器是指通过对半导体电路加以电气控制，使其具备数据存储保持功能的半导体电路装置。
 与磁盘和光盘装置等相比，具有
@@ 行 9: / 行 12: @@
 ### 半导体存储器的分类
-{{ ::what1_図1.jpg |}}
+{{::what1_図1.jpg ?500|}}
 * RAM (Random Access Memory) ： 可自由对存储内容进行读写。
@@ 行 15: / 行 18: @@
 ### 各种存储器的特点
-{{ ::1684808414520.png |}}
+{{::1684808414520.png ?500|}}
-## 元器件原理＜DRAM＞
+## 二、元器件原理＜DRAM＞
 ### 存储单元构成
 由1个晶体管、1个电容器构成
@@ 行 30: / 行 33: @@
  {{ ::memory_what2_02.jpg |}}
-## 元器件原理＜SRAM＞
+## 三、元器件原理＜SRAM＞
 ### 存储单元构成
   * 由6个晶体管单元构成
@@ 行 56: / 行 59: @@
 通过触发器电路存储"1"、"0"
+## 四、元器件原理＜Mask ROM＞
+### Mask ROM存储单元构成
+高度集成化的NAND构成。（1个晶体管单元）
+{{ ::memory_what4_01.jpg |}}
+### 数据的写入方法
+在Wafer过程内写入信息
+  * "1"：将离子注入晶体管
+  * "0"：不注入离子
+### 数据的读取方法
+使读取单元的Word线电位为0V
+使读取单元以外的Word线电位为Vcc
+→ 对Bit线施加电压，如果有电流流过，则判断为"1"
+## 五、元器件原理＜EEPROM＞
+### EEPROM存储单元构成
+由2个晶体管单元构成
+{{ ::memory_what5_01.jpg |}}
+### 数据的写入方法
+{{ ::memory_what5_02.jpg |}}
+### 数据的删除方法
+{{ ::memory_what5_03.jpg |}}
+## 六、元器件原理＜FLASH＞
+### FLASH存储单元构成
+{{ ::memory_what6_cn_img_01.gif |}}
+### 数据的写入方法
+{{ ::memory_what6_cn_img_02.gif |}}
+###  数据删除的方法
+{{ ::memory_what6_cn_img_03.gif |}}
+## 七、EEPROM接口的特点
+### 接口的选择方法
+EEPROM的常规接口有3个分别是Microwire和SPI与I2C。
+这些接口各自具有技术特点。
+请选择符合客户需求的接口。
+=== 【I2C】 ===
+微型控制器的使用端口存在限制，EEPROM的接口数量较少时，请选择I2C。从微型控制器端口进行的控制最少可使用双线进行。
+此外，无需追加端口，即可在同一总线上连接多个EEPROM。在同一整机上使用多个EEPROM时，适用I2C总线。
+难点在于通信速率较慢。通信速率为400K～1Mbit/s。至EEPROM的访问时间有限制时，可能不适合。
+  * 可使用双线进行通信，因此能减少微型控制器的使用端口
+  * 可在同一总线上连接多个EEPROM
+=== 【SPI】 ===
+要进行高速通信时，请选择SPI。实现20Mb/s的高速通信。
+实现了高速通信，因此还备有EEPROM容量为1Mbit的大容量产品。
+微型控制器的接口数量为4个。与I2C相比，接口较多是难点。
+  * 工作频率高，通信速度快
+  * 产品阵容丰富，涵盖从低容量到大容量
+=== 【Microwire】 ===
+这是比较老的通信方式。通信速度比SPI慢，备有低容量的产品。
+接口数量为4个，比I2C多。
+  * 与SPI相比，通信速度较慢
+  * 产品阵容仅限低容量产品
+### 引脚配置与引脚功能
+=== 【I2C】 ===
+{{ ::what8_01.jpg |}}
+{{ ::1684818715081.png |}}
+  * 通过双线对EEPROM进行控制。
+  * 可通过A0、A1、A2的各引脚设定从机地址。通过这一组合，可在同一总线上连接最多8个EEPROM。
+=== 【SPI】 ===
+{{ ::what8_02.jpg |}}
+{{ ::1684818919020.png |}}
+  * 通过四线对EEPROM进行控制。
+  * 可能会因为HOLDB引脚功能而停止串行通信。
+=== 【Microwire】 ===
+{{ ::what8_03.jpg |}}
+{{ ::1684818960316.png |}}
+  * 通过四线对EEPROM进行控制。
+### 指令比较
+{{ ::what9_01.jpg |}}
+### 使用多个EEPROM时的构成示例＜I2C＞
+{{ ::what10_01.jpg |}}
+通过逐个元器件更改元器件地址(A2,A1,A0)的设定，可以使用多个EEPROM。
+图示为Device1：(0,0,0)、Device2：(0,0,1）的设定示例。
+通过Bus master，可根据以串行信号输入的元器件地址，选择要通信的元器件。
+### 使用多个EEPROM时的构成示例＜SPI＞
+{{ ::what11_01.jpg |}}
+通过Bus master，对EEPROM元器件的各CSB引脚进行单独控制。
+可通过共用来使用其他通信线。
+由此，可以单独访问Device1 / Device2。
+### 使用多个EEPROM时的构成示例＜Microwire＞
+{{ ::what12_01.jpg |}}
+通过Bus master，对EEPROM元器件的各CS引脚进行单独控制。
+可通过共用来使用其他通信线。
+由此，可以单独访问Device1 / Device2。