N沟道场效应管缓冲区偏差计算器
计算JFET共漏放大器（源极跟随器）的偏置参数，包括漏极电流、源极电阻和栅源电压
场效应管缓冲区偏差计算器
本工具用于计算N沟道JFET共漏放大器（源极跟随器）的偏置参数，JFET具有很高的输入阻抗，适合用作缓冲放大器：
主要计算公式：
• IDS = IDSS × (1 - VGS/Vp)²
• RS = VRS / IDS
• VGS = -VRS
参数说明
VDD： 电源电压，为JFET提供工作电压
VRS： 期望的源极电压，决定输出电压
Vp (VGS(off))： 夹断电压，JFET的截止电压（负值）
IDSS： 零栅电压时的漏极电流，JFET的最大漏极电流
JFET特性说明
VGS(off) 定义：
VGS称为门极-源极间遮断电压或者截止电压，用VGS(off)表示。n沟道JFET的VGS(off)值带有负的符号。由于测量实际JFET对应ID=0的VGS很困难，在放大器使用的小信号JFET时，将达到ID=0.1-10μA的VGS定义为VGS(off)的情况较多。
应用特点
高输入阻抗： JFET具有极高的输入阻抗，适合用作缓冲放大器
低输出阻抗： 源极跟随器具有很低的输出阻抗
电压增益： 电压增益接近1，但功率增益很高
线性度： 在小信号范围内具有良好的线性特性
计算原理
JFET平方律特性：
IDS = IDSS × (1 - VGS/Vp)²
偏置条件：
• VGS = -VRS（栅源电压等于负的源极电压）
• RS = VRS / IDS（源极电阻等于源极电压除以漏极电流）
• 工作条件：VGS < Vp（确保JFET在饱和区工作）
注意事项
• 夹断电压Vp必须为负值（n沟道JFET）
• 源极电压VRS必须小于夹断电压的绝对值（VRS < |Vp|）
• IDSS值应大于期望的漏极电流
• 计算结果应验证JFET是否工作在饱和区
• 实际应用中需要考虑温度特性和器件参数分散性