场效应管缓冲区计算
场效应管缓冲区偏差计算器

N-Channel JFET Buffer

N沟道场效应管缓冲区偏差
 
VDD (V)
Desired V RS (V)
V p or V GS(off) (Pinch off Voltage, negative)截止电压 (V)
I DSS (Zero Gate Voltage Drain Current)   零栅电压 漏极电流 (mA)
结果:

I DS (mA)
R S (Ω)
V GS (V) 

Equations:

 I DS= I DSS(1-V GS /Vp) 2

 RS= V RS/I DS

VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压,用VGS (off)示。n沟道JFET的情况则VGS (off) 值带有负的符号,测量实际的JFET对应ID =0的VGS 因为很困难,在放大器使用的小信号JFET时,将达到ID =0.1-10μA 的VGS 定义为VGS (off) 的情况多些。