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FDG6303N

FDG6303N
基本信息
描述:双N沟道数字FET

这些双N通道逻辑电平增强模式使用ON产生场效应晶体管半导体专有的高单元密度DMOS技术。 这种密度很高的工艺是特别适合最小化通态电阻。该设备专为低温设计电压应用作为双极性的替代品数字晶体管和小信号MOSFET。

器件类别:晶体管
产品图片
产品特性

+ 25V、0.50A(连续值)、1.5A(峰值)。 + RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS = 4.5 V, + RDS(ON) = 0.60 Ω @ VGS = 2.7 V。 + 电平栅极驱动要求极低,从而可在3V电路中直接运行(VGS(th)< 1.5 V)。 + 栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力(>6kV人体模型)。 + 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。

主要参数
产品应用

This product is general usage and suitable for many different applications.

资源链接
设计工具
库/模型
CAD库文件
Electronic Component库文件
MOSFET SC70-6 N-CH 25V
图片
Ultralibrian库文件
MOSFET Transistor, Matched Pair, N-Channel, TSOP
图片
Mosfet 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
Dual N-Channel Digital FET 25V, 0.50A, 0.45Ω
SnapEDA库文件
FDG6303N Series 25 V 0.45 Ohm Dual Surface Mount N-Channel Digital FET - SC70-6
图片
购买渠道
授权分销商
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Lucia li
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2019-08-30