此P沟道1.8V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对电池的电源管理应用进行了优化。

+ -2.4 A，-20 V。 RDS(on) = 0.052 Ω @ VGS = -4.5 V RDS(on) = 0.070 Ω @ VGS = -2.5 VRDS(on) = 0.100 Ω @ VGS = -1.8 V + RDS(on) = 0.052 Ω @ VGS = -4.5 V + RDS(on) = 0.070 Ω @ VGS = -2.5 V + RDS(on) = 0.100 Ω @ VGS = -1.8 V + 快速开关速度 + 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON) + SuperSOT TM -3提供低RDS(ON)，并且在同样的尺寸下，功率处理能力比SOT23高出30%

+ This product is general usage and suitable for many different applications. + Battery Management + Load Switch + Battery Protection