FDN304P
FDN304P
基本信息
描述:P沟道1.8V额定PowerTrench® MOSFET
此P沟道1.8V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对电池的电源管理应用进行了优化。
器件类别:晶体管
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产品特性
+ -2.4 A,-20 V。 RDS(on) = 0.052 Ω @ VGS = -4.5 V RDS(on) = 0.070 Ω @ VGS = -2.5 VRDS(on) = 0.100 Ω @ VGS = -1.8 V + RDS(on) = 0.052 Ω @ VGS = -4.5 V + RDS(on) = 0.070 Ω @ VGS = -2.5 V + RDS(on) = 0.100 Ω @ VGS = -1.8 V + 快速开关速度 + 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON) + SuperSOT TM -3提供低RDS(ON),并且在同样的尺寸下,功率处理能力比SOT23高出30%
主要参数

产品应用
+ This product is general usage and suitable for many different applications. + Battery Management + Load Switch + Battery Protection
资源链接
设计工具
库/模型
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Electronic Component库文件
MOSFET SSOT-3 P-CH 1.8V
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FDN304PZ, P-channel MOSFET Transistor 2.4 A 20 V, 3-Pin SuperSOT
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FDN304P, P-channel MOSFET Transistor 2.4 A 20 V, 3-Pin SuperSOT
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MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
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MOSFET P Trench 20V 2.4A 1.5V @ 250uA 52 mΩ @ 2.4A,4.5V SOT-23-3 RoHS

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