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FDN5618P

FDN5618P
基本信息
描述:FDN5618P: =E883 P 沟道 PowerTrench® 额定 G876
器件类别:晶体管
产品图片
产品特性

+ –1.25 A, –60 V. RDS(ON) = 0.200Ω @ VGS = –10 V, RDS(ON) = 0.230Ω @ VGS = –4.5 V + RDS(ON) = 0.200Ω @ VGS = –10 V + RDS(ON) = 0.230Ω @ VGS = –4.5 V + 快速开关速度 + 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)。

主要参数
产品应用

This product is general usage and suitable for many different applications.

设计工具
库/模型
CAD库文件
MOSFET SSOT-3 P-CH 60V
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FDN5618P, P-channel MOSFET Transistor 1.25 A 60 V, 3-Pin SuperSOT
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MOSFET SuperSOT-3 RoHS
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Ultralibrian库文件
FDN5618P P-Channel MOSFET, 1.25 A, 60 V PowerTrench, 3-Pin SOT-23 ON Semiconductor
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SnapEDA库文件
FDN5618P Series 60 V 0.170 Ohm P-Channel Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3
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购买渠道
授权分销商
地址:广东 深圳 广东 深圳市 南山区西丽镇长源工业区
联系电话:0755-2697981
传真:0755-26979814
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联系电话 

+ 86-020-85636607 + 86-020-85636805 + 13434277019 温振鹏 (销售经理)

Lucia li
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2019-08-30