描述：该N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。这款产品旨在最大限度地降低导通阻抗，同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。可用于大部分需要高达400mA直流电流的应用，并且能够提供高达2A的脉冲电流。这款产品特别适合低压、低电流应用（如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器）以及其他开关应用中。

器件类别：N沟道增强模型场效应晶体管

产品图片

产品特性

主要参数

产品应用

参考设计简述： 说明一下单片机用AT89S52和STC89C52均可，都已经测试过，图中R3，R8，R5觉得测试电容精度，尽量接近图中阻值（非标准阻值需串联或并连电位器慢慢调），R8，R5的阻值是实际调试出来的，主要是切换的时候是通过的8550他的导通内阻不好确定，我实验中发现8R比较合适，大家可以自己调试出更合适的阻值。电容通过2N7002放电，2N7002为小功率nmos（开始设计的时候用的是8050，结果放电放不尽，大电容的时候io驱动不起来，后改用2级，也不稳定，最后选用的nmos效果非常不错），一般的小功率nmos都行（一般在MP3。MP4等数码产品中能找到）

组装图

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