描述：LM74502-Q1是符合汽车 AEC-Q100 标准的控制器，与外部背对背连接的 N 沟道 MOSFET 配合工作，可实现低损耗反极性保护和负载断开解决方案。

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产品功能框图

器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围

器件 HBM ESD 分类等级 2

3.2V 至 65V 输入范围（3.9V 启动）

-65V 输入反向电压额定值

外部背对背 N 沟道 MOSFET

外部高侧开关 MOSFET

LM74502-Q1：60µA 峰值栅极驱动拉电流能力

2A 峰值栅极灌电流能力

1µA 关断电流（EN/UVLO = 低电平）

45µA 典型工作静态电流（EN/UVLO = 高电平）

可调节过压和欠压保护

采用额外的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 脉冲 1 瞬态要求

输入电压 (Min) (V)：3.2

输入电压 (Max) (V)：65

特点：启用、反极性保护

Iq (Typ) (mA)：0.06

Iq (Max) (mA)：0.110

IGate source (Typ) (uA)：60

IGate source (Max) (uA)：77

IGate sink (Typ) (mA)：2370

IGate pulsed (Typ) (A)：2.37

工作温度范围（°C ）：-40 ~125

IReverse (Typ) (uA)：100

设计支持：EVM

受控通道 (#) 1

参考设计简述：LM74502-Q1 用于驱动反向极性保护应用。 反向连接 MOSFET Q1 和 Q2 与电池串联，以实现反极性保护和负载断开解决方案。

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输入工作电压范围为 3V 至 40V，可扩展至 65V

24V 汽车类反极性保护

输出电压压摆率控制

最大负载电流为 l5A，提供 10A 工作电流选项

+86-400-819-8694

+852-3704-4888

+65-6579-2446