LMG342xR050——具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET
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LMG342xR050
基本信息
描述：LMG342xR050 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。
器件类别
产品图片
简化版方框图
产品功能框图
产品特性
符合面向硬开关拓扑的 JEDEC JEP180 标准
带集成栅极驱动器的 600-V GaN-on-Si FET
集成高精度栅极偏置电压
200V/ns CMTI
3.6MHz 开关频率
20V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能和缓解 EMI
在 7.5V 至 18V 电源下工作
强大的保护
响应时间少于 100 ns 的逐周期过流和锁存短路保护
硬开关时可承受 720V 浪涌
针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
高级电源管理
数字温度 PWM 输出
理想二极管模式可减少 LMG3425R050 中的第三象限损耗
主要参数
RDS (on) (Milliohm)：50
VDS (Max) (V)：600
ID (Max) (A)：44
产品应用
高密度工业电源
光伏逆变器和工业电机驱动器
不间断电源
封装
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作者：Arianna Rajabi
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评估板信息
评估板型号
适用于 LMG342x 系列的 LMG342x GaN 系统级评估主板
LMG3422R050 600V 50mΩ 半桥子卡
具有理想二极管模式的 LMG3425R050 600V 50mΩ 半桥子卡
评估版图片
LMG342X-BB-EVM
LMG3422EVM-041
LMG3425EVM-041
评估板介绍
LMG342X-BB-EVM 是易于使用的输出板，可将 LMG3422EVM-043 等各种 LMG342xR0x0 半桥板配置为同步降压转换器
LMG3422EVM-041 将两个 LMG3422R050 GaN FET 配置到具有锁存过流保护功能和所有必要辅助外围电路的半桥中。该 EVM 需要与大型系统配合使用。
LMG3425EVM-041 可将两个 LMG3425R050 GaN FET 配置到具有锁存过流保护功能和所有必要辅助外围电路的半桥中。该 EVM 旨在与大型系统配合使用
用户指南
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