面向强制型 4 对 PoE PD 应用的 UPOE 高效反激转换器 (19V/2.3A) 参考设计
TIDA-00539 使用两个 TPS2378 PD 控制器,为 51W 非标准 PoE PD 应用提供强制 4 对 UPOE 解决方案。整合了 UCC2897A 控制器,实现了效率高、瞬变响应良好(驱动)的同步反激式转换器,支持 19V (2.3A)。 特性 强制 4 对 UPOE (51W) 93% 的高效率(仅转换器) 包含测试报告 可购买评估板  
标签
PoE PD 应用
UPOE 高效反激转换器
Texas Instruments Incorporated
更新2024-01-22
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内容介绍

TIDA-00539 使用两个 TPS2378 PD 控制器,为 51W 非标准 PoE PD 应用提供强制 4 对 UPOE 解决方案。整合了 UCC2897A 控制器,实现了效率高、瞬变响应良好(驱动)的同步反激式转换器,支持 19V (2.3A)。

特性
  • 强制 4 对 UPOE (51W)
  • 93% 的高效率(仅转换器)
  • 包含测试报告
  • 可购买评估板

 

软硬件
元器件
UCC2897APW
具有 P 沟道钳位 FET 和线路过压保护的 110V 有源钳位电流模式 PWM 控制器
TL431AIDBVR
可调精密并联稳压器
TL7700CDGKR
用于系统保护的
HMHA2801A
4 引脚半节距微型扁平光电晶体耦合器
FOD817DS
光电晶体管光耦合器FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管,反相并联,驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管,驱动硅光电晶体管。
FDMS86252
N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 150V,16A,51mΩ
BSS123
N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管100V,170mA,6Ω
FDMS86105
N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench® MOSFET,100V,26A,34mΩ
MMBT5550LT1G
高电压 NPN 双极晶体管
MMBT3906
PNP型,40V,0.2A,SOT23封装
CSD18504Q5A
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
TPS2378DDA
具有 AUX 控制功能的 IEEE 802.3at PoE 高功率 PD 接口
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