EiceDRIVER™ APD 2ED2410-EM - 24 V 汽车级MOSFET评估子板系列
该系列评估板设计用于现代汽车12V和24V的配电网络,可与24V的2ED2410-EM评估主板(EB 2ED2410 3M)配合使用。子板EB 2ED2410 3D 1BCDP专为处理单一负载通道而设计,采用两个60V OptiMOSTM5功率MOSFET(1.1mΩ)以背对背共源配置。此外,该子板还具备专用的预充电路径,用于对负载进行预充电。用户还可以选择其他几种子板,包括EB 2ED2410 3D 1BCS,它采用背对背共源配置,配备0.5mΩ分流器;以及EB 2ED2410 3D 1BCD,采用背对背共漏配置,同样配备0.5mΩ分流器。所有这些子板均设计用于测试基本功能,而非实际应用中的开关或热性能。
标签
电源管理
功率器件栅极驱动
评估子板
Infineon Technologies AG
更新2024-08-27
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内容介绍

该系列评估板设计用于现代汽车12V和24V的配电网络,可与24V的2ED2410-EM评估主板(EB 2ED2410 3M)配合使用。子板EB 2ED2410 3D 1BCDP专为处理单一负载通道而设计,采用两个60V OptiMOSTM5功率MOSFET(1.1mΩ)以背对背共源配置。此外,该子板还具备专用的预充电路径,用于对负载进行预充电。用户还可以选择其他几种子板,包括EB 2ED2410 3D 1BCS,它采用背对背共源配置,配备0.5mΩ分流器;以及EB 2ED2410 3D 1BCD,采用背对背共漏配置,同样配备0.5mΩ分流器。所有这些子板均设计用于测试基本功能,而非实际应用中的开关或热性能。

软硬件
元器件
NCU18WB473F6SRB
优异的可焊性和高环境稳定性
2ED2410EMXUMA1
适用于 12 V/24 V 汽车应用的智能模拟高侧 MOSFET 栅极驱动器
TLE42962GV50HTSA1
TLE4296-2G V50是一款采用超小型表面贴装封装PG-SCT595的单片集成低压差稳压器。
2N7002K
N 沟道小信号 MOSFET 60V 380mA 1.6 Ω
MMSZ5245BT1G
齐纳二极管 500 mW SOD-123
BSS83P
-0.33A 漏极电流,-60V 漏源电压,P沟道MOSFET
IAUC120N06S5N011
60V, N沟道, 1.1 mΩ max, 正常电平
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其他文件-Infineon-2ED2410-EB-Family-UG-Infineon-Infineon-2ED2410-EB-Family-UG-UserManual-v01_01-EN.pdf
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