闪存模块(2)
Flash 2 click采用64 Mbit闪存IC,采用专有的高性能CMOS Super-Flash技术制造,使Flash 2 click能够承受高达100,000次写入周期,数据保留期为100年,这是相当大的。比任何其他此类内存模块都要长。 Click 板上使用的闪存 IC 具有串行闪存可发现参数 (SFDP) 模式,用于从器件检索高级信息,例如操作特性、结构和供应商指定信息、内存大小、工作电压、时序信息、和更多。
标签
闪存
MikroElektronika
更新2024-03-27
81

内容介绍

项目来源:Flash 2 Click

Flash 2 click采用64 Mbit闪存IC,采用专有的高性能CMOS Super-Flash技术制造,使Flash 2 click能够承受高达100,000次写入周期,数据保留期为100年,这是相当大的。比任何其他此类内存模块都要长。 Click 板上使用的闪存 IC 具有串行闪存可发现参数 (SFDP) 模式,用于从器件检索高级信息,例如操作特性、结构和供应商指定信息、内存大小、工作电压、时序信息、和更多。

附件下载
原理图文件-flash-2-click-schematic-v100.pdf
结构设计文件-flash-2-click-2d-and-3d-files.zip
原理图PDF
全屏
评论
0 / 100
查看更多
硬禾服务号
关注最新动态
0512-67862536
info@eetree.cn
江苏省苏州市苏州工业园区新平街388号腾飞创新园A2幢815室
苏州硬禾信息科技有限公司
Copyright © 2024 苏州硬禾信息科技有限公司 All Rights Reserved 苏ICP备19040198号