适用于 NXP i.MX 6ULL 处理器的集成电源参考设计
本参考设计是一款全功能开发板,通过 TPS6521815 PMIC 为 NXP i.MX 6ULL 应用处理器供电。硬件设计包括 DDR3L SDRAM (512MB)、32MB 串行 NOR 闪存、8GB eMMC 5.0 iNAND、SD 卡接口 v3.0、双通道 100Base-T 以太网、具有 Type-A 端口的 5 通道 USB 集线器、micro-AB USB OTG、可挂载 LCD 屏幕以及用于其他输入和输出的扩展连接器。此设计适合用作电网通信领域数据集中器项目或使用 i.MX 6ULL、i.MX 6ULZ 或 i.MX 6UltraLite 处理器并需要评估替代电源解决方案的任何项目的参考。此设计适合用作电网通信领域数据集中器项目或使用 i.MX 6ULL、i.MX 6ULZ 或 i.MX 6UltraLite 处理器并需要评估替代电源解决方案的任何项目的参考。 特性 用于快速开发 NXP i.MX 6ULL、i.MX6 ULZ 和 i.MX 6UltraLite 系统的完整板上系统 支持低功耗模式和 DVFS 以太网、USB 有线连接 包含 LCD 显示屏,可对 6 个通道进行实时电流监控 可选启动选项(SD、eMMC、QSPI)
标签
i.MX 6ULL 应用处理器
电网通信领域数据集中器
全功能开发板
Texas Instruments Incorporated
更新2024-01-23
93

内容介绍

本参考设计是一款全功能开发板,通过 TPS6521815 PMIC 为 NXP i.MX 6ULL 应用处理器供电。硬件设计包括 DDR3L SDRAM (512MB)、32MB 串行 NOR 闪存、8GB eMMC 5.0 iNAND、SD 卡接口 v3.0、双通道 100Base-T 以太网、具有 Type-A 端口的 5 通道 USB 集线器、micro-AB USB OTG、可挂载 LCD 屏幕以及用于其他输入和输出的扩展连接器。此设计适合用作电网通信领域数据集中器项目或使用 i.MX 6ULL、i.MX 6ULZ 或 i.MX 6UltraLite 处理器并需要评估替代电源解决方案的任何项目的参考。此设计适合用作电网通信领域数据集中器项目或使用 i.MX 6ULL、i.MX 6ULZ 或 i.MX 6UltraLite 处理器并需要评估替代电源解决方案的任何项目的参考。

特性
  • 用于快速开发 NXP i.MX 6ULL、i.MX6 ULZ 和 i.MX 6UltraLite 系统的完整板上系统
  • 支持低功耗模式和 DVFS
  • 以太网、USB 有线连接
  • 包含 LCD 显示屏,可对 6 个通道进行实时电流监控
  • 可选启动选项(SD、eMMC、QSPI)
软硬件
元器件
TPS3422EGDRYR
具有可配置的延迟和复位脉冲的单通道按钮控制器
INA3221AIRGVR
具有警报功能的 26V、三通道、13 位、I2C 输出电流/电压监控器
TSC2046IPWR
具有低压数字 I/O 的 4 线触摸屏控制器
SN74LV1T126DCKR
具有三态输出的单电源单缓冲器闸(高电平有效)
TPS6521815RSLT
具有 6 个直流/直流转换器、1 个 LDO 和 3 个负载开关的用户可编程电源管理 IC (PMIC)
TPS22964CYZPT
具有输出放电功能的 5.5V、3A、14mΩ 负载开关
ECMF02-2BF3
高速串行接口的ESD保护共模滤波器
MCIMX6Y2CVM08AB
i.MX 32位微处理器单元,ARM Cortex-A7内核,主频800MHz,289引脚球栅阵列封装
AT24C02C-MAHM-T
2Kb 兼容I2C的双线串行EEPROM
USB2517I-JZX
7端口USB 2.0高速集线器控制器
MIC2026-1YM
双USB高侧电源开关
FT230XS-R
应用功能:USB转UART 接口协议:UART
FPF1321UCX
具有精确反向电流阻隔功能的IntelliMAX 双输入单输出高级功率开关
MMBT2907A
PNP型,60伏,0.6安,SOT23封装
MMBT3904
NPN型,40伏,0.2安,SOT23封装
DP83849IDVS/NOPB
支持光纤接口、具有工业级温度范围的双端口 10/100Mbps 以太网 PHY 收发器
TPS2054BD
高电平有效的 4 通道、0.5A 负载、2.7-5.5V、70mΩ USB 电源开关
PUSB3F96X
超高速接口的ESD防护
MT41K256M16TW-107:P
32兆 x 16位 x 8存储体,4GBIT DDR3L SDRAM
MT25QU256ABA1EW7-0SIT
FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb SPI 133 MHz 8-WPDFN(6x5)(MLP8)
2N7002LT3G
SOT23,N沟道MOSFET - 60V 115MA 7.5Ohm
CSD25481F4T
采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、105mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
SSM6J501NU
表面贴装型 P 通道 20 V 10A(Ta) 1W(Ta) 6-UDFNB(2x2)
附件下载
Assembly drawing-TIDM577.zip
Bill of materials (BOM)-TIDM576.pdf
Design Guide-TIDUEW7.pdf
Gerber file-TIDCFU5.zip
PCB layout-TIDM578.zip
Schematic-TIDM575.pdf
Support software-TIDCFV9.zip
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