此参考设计基于多个碳化硅 (SiC) MOSFET 而构建，该 MOSFET 由 C2000 微控制器 (MCU) 通过 SiC 隔离式栅极驱动器进行驱动。此设计采用了三相交错技术并在连续导通模式 (CCM) 中运行，在 240V 输入电压和 6.6kW 全功率下可实现 98.46% 的效率。C2000 控制器可实现切相和自适应死区时间控制，从而改善轻载条件下的功率因数。栅极驱动器板（请参阅 TIDA-01605）能够提供 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。栅极驱动器板实现了增强型隔离，可承受超过 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。栅极驱动器板还包含两级关断电路，可在短路情况下保护 MOSFET 抵御电压过冲。 特性 高功率密度、高效率 PFC 设计，可为高达 6.6kW 的系统供电 半桥和紧凑型隔离式栅极驱动器，具有增强型隔离和两级关断保护功能 完全数字化控制，通过高性能 C2000™ 控制器实现先进的控制方案 峰值效率为 98.46%，功率因素大于 0.99，且总谐波失真 (THD) 小于 2% 三相交错运行方式，具有切相控制功能