这一经过验证的参考设计概述了如何实现基于 SiC 的三级三相直流/交流 T 型逆变器级。50KHz 的较高开关频率减小了滤波器设计的磁性元件尺寸，并因此提高了功率密度。通过使用可降低开关损耗的 SiC MOSFET，可确保实现高达 1000V 的更高直流总线电压和更低的开关损耗，从而达到 99% 的峰值效率。此设计可配置为两级或三级逆变器。该系统由单个 C2000 微控制器 (MCU) TMS320F28379D 进行控制，可在所有运行模式下为所有电源电子开关器件生成 PWM 波形。 特性 额定标称输入电压/最大输入电压：800V/1000VDC 在 400VAC 50/60Hz T 型连接时的最大输出功率为 10kW/10KVA 工作时的功率因数范围为 0.7 滞后至 0.7 超前 基于高压 (1200V) SiCMosFET 的全桥逆变器，峰值效率高达 99% 满载时的输出电流 THD 小于 2% 使用 AMC1301 进行隔离式电流检测，从而实现负载电流监测 用于驱动高压 SiC MOSFET 并具有增强型隔离功能的隔离式驱动器 ISO5852S，以及用于驱动中间 Si IGBT 的 UCC5320S