此参考设计概述了具有 CMOS 输入隔离式 IGBT 栅极驱动器的三相逆变器中使用的安全转矩关闭 (STO) 子系统。该 STO 子系统采用双通道架构 (1oo2)，硬件容错能力为 1 (HFT=1)。它是按照失电跳闸概念实现的。当双路 STO 输入（STO_1 和 STO_2）变为低电平有效时，将通过负载开关切断六个隔离式 IGBT 栅极驱动器的初级侧和次级侧相应电源，从而停止控制电机并为其供电。此 STO 参考设计 (1oo2) 经过 TüV SüD 评估，通常符合 SIL 3 和 PL e/Cat 3标准。 特性 经过 TÜV SÜD 评估、符合 SIL 3 (IEC 61508) 和 PL e/Cat.3 (ISO 13849) 的双通道 STO架构 (1oo2) 可提供 TÜV 报告、安全概念说明和定性系统 FMEA，进一步帮助设计人员实施 STO 子系统 STO 子系统适用于具有 CMOS 输入隔离式 IGBT 栅极驱动器（如 ISO5852S、UCC21750 或 UCC5350）的三相逆变器 ISO1211 符合 IEC 61131-2 标准且具有 ±60V 输入容差和反极性保护的 24V 隔离式输入接收器 连接 MCU (SIL 1)，为 STO 子系统中的负载开关提供诊断 可通过 RDY 引脚监控 ISO5852S 的输入和输出电源 UVLO，并可通过 UCC21750 集成式模拟至 PWM 隔离传感器提供额外的监控功能